东芝代理,原装*现货,2SK3878

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部件型号2SK3878 
*性N沟 
漏源电压VDSS900 V 
漏电流ID9 A 
漏功耗PD150 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)60 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V1.3 Ω 
封装TO-*(N) 
管脚数3 
产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 
装配基础日本, 泰国
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK3878

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

VHF/甚高频

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

低频跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)