东芝代理 原装现货供应 TK8A60DA

地区:上海
认证:

上海琼创电子科技有限公司

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部件型号TK8A60DA 
*性N沟 
漏源电压VDSS600 V 
漏电流ID7.5 A 
漏功耗PD45 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)20 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V1.0 Ω 
封装TO-220SIS 
管脚数3 
表面安装型N 
产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 
装配基础Malaysia, Japan
品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

TK8A60DA

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)