东芝代理,原装现货供应,2SK3569
地区:上海
认证:
无
图文详情
产品属性
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部件型号 | 2SK3569 | |
*性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 600 V | |
漏电流ID | 10 A | |
漏功耗PD | 45 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 42 | |
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.75 Ω | |
封装 | TO-220SIS | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
RoHS Compatible Product(s) (#) |
TOSHIBA/东芝
2SK3569
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
1(V)
1(V)
1(pF)
1(dB)
1(mA)
1(mW)