FQPF8N60C

地区:广东 深圳
认证:

深圳市金广顺科技有限公司

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数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装
FQP8N60C, FQPF8N60C
TO-220AB
High Voltage Switches for Power Processing
Design/Process Change Notification 26/June/2007
50
分离式半导体产品
FET - 单路
QFET™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
1.2 欧姆 @ 3.75A, 10V
600V
7.5A
4V @ 250µA
36nC @ 10V
1255pF @ 25V
48W
通孔
TO-220-3 整包
管件
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQPF8N60C

应用范围

放大

材料

硅(Si)

*性

PNP型

击穿电压VCBO

600(V)

集电*允许电流ICM

7.5(A)

集电*耗散功率PCM

48(W)

结构

点接触型

封装形式

直插型

封装材料

塑料封装