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MOS管TSA20N50M

地区：广东 深圳
认证： 无

邹荣财

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品牌：TRU*EMI型号：TSA20N50M种类：*缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：D/变频换流
封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：5（V）
夹断电压：5（V） 跨导：12（μS） *间电容：400（pF）
低频噪声系数：280（dB） *大漏*电流：20（mA） *大耗散功率：450（mW）

BVDSSID(DC)PDRds(on)
500202800.26

应用于\====充电器,开关电源

代替FAQ20N50C