高电流开关应用SSM6J51TU

地区:广东 深圳
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品牌:TOSHIBA/东芝型号:SSM6J51TU种类:*缘栅(MOSFET)
沟道类型:P沟道导电方式:增强型用途:HG/高跨导
封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载材料:P-FET硅P沟道开启电压:2.5(V)
夹断电压:10(V) 低频跨导:12(μS) *间电容:210(pF)
低频噪声系数:10(dB) *大漏*电流:40(mA) *大耗散功率:500(mW)







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