AOD4186，N沟道增强型场效应晶体管

　　AOD4186结合先进的沟槽MOSFET技术具有低电阻包提供极低的RDS（ON）。这个装置是理想的低高压变频器的应用。

　　AOD4186参数：

　　VDS（V）=40V

　　ID = 35A           （VGS = 10V）

　　RDS（ON）< 15mΩ   （VGS = 10V）

　　RDS（ON）< 19mΩ   （VGS = 4.5V）

　　100% UIS Tested!

　　100%  R g Tested!

　　- 符合RoHS

　　- 无卤

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