| 品牌：INFINEON/英飞凌 | 型号：BSO315C | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：L/功率放大 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-P-FET锗P沟道 | 开启电压：20（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：20（μS） | *间电容：250（pF） |
| 低频噪声系数：10（dB） | *大漏*电流：20（mA） | *大耗散功率：40（mW） |
原装现货Features
• Dual N- and P -Channel
• Enhancement mode
• Logic Level
• Avalanche rated
• dv/dt rated
