品牌:Truesemi | 型号:TSF5N60M | 种类:*缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:DC/直流 |
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 开启电压:4.5(V) |
夹断电压:8(V) | 跨导:4.5(μS) | *间电容:100(pF) |
低频噪声系数:100(dB) | *大漏*电流:4.5(mA) | *大耗散功率:200(mW) |
BVDSS | ID(DC) | PD | Rds(on) |
600 | 4.5 | 33 | 2.5 |
应用:适配器,开关电源,LCD显示器
代用:FQPF5N60C(SSS4N60B),2SK2750(2SK3567),,STP4NK60ZFP