MOS管FDM2509NZ
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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品牌:FAIRCHILD/*童 | 型号:FDM2509NZ | 种类:*缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:TR/激励、驱动 |
封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:N-FET硅N沟道 | 开启电压:20(V) |
夹断电压:12(V) | 跨导:240(μS) | *间电容:12000(pF) |
低频噪声系数:100(dB) | *大漏*电流:18(mA) | *大耗散功率:22(mW) |
应用于锂电池
General Description
This dual N-Channel MOSFET has been designed
using Fairchild Semiconductor’s advanced Power
Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v on
special MicroFET lead frame with all the drains on one
side of the package.
Applications
• Li-Ion Battery Pack