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IXYS/场效应管（FET)/IXTH50P10

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IXTH50P10

漏*电流(Id):-50A 漏源饱和电压（Vdss）:-100V

技术规格书（PDF） 

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型号/规格

IXTH50P10

品牌/商标

IXYS/艾赛斯

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型