IXYS/场效应管(FET)/IXFN24N100

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IXFN24N100

漏*电流(Id):24A 漏源饱和电压(Vdss): 1000V

  • 货  号:IXFN24N100
  • 品  牌:IXYS(艾赛斯)
  • 计量单位:只
  • 漏源电阻(Rds): 0.39Ω

技术规格书(PDF)

 

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型号/规格

IXFN24N100

品牌/商标

IXYS/艾赛斯

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型