IXYS/场效应管(FET)/IXFH32N50Q

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IXFH32N50Q

漏*电流(Id):32A 

 

漏源饱和电压(Vdss):500V

  • 货  号:IXFH32N50Q
  • 品  牌:IXYS(艾赛斯)
  • 计量单位:只
  • 漏源电阻(Rds): 0.16Ω
  • 技术规格书(PDF)

  • 本店所售产品的价格一律为“虚拟价拍前请联系,直拍无效

 

 

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型号/规格

IXFH32N50Q

品牌/商标

IXYS/艾赛斯

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型