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IXYS/场效应管（FET)/IXFN36N100

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认证： 无

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IXFN36N100

漏*电流(Id): 36A

 

漏源饱和电压（Vdss）: 1000V

技术规格书（PDF）

 

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型号/规格

IXFN36N100

品牌/商标

IXYS/艾赛斯

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型