原装*IR 50W功率MOS管IRF1404

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRF1404
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	L/功率放大
封装外形	P-DIT/塑料双列直插	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	10（V）	夹断电压	1（V）
跨导	1（μS）	*间电容	1（pF）
低频噪声系数	1（dB）	大漏电流	1（mA）
*大耗散功率	1（mW）

IRF1404 概述

　　IR的HEXFET功率场效应管IRF1404采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF1404这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF1404成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF1404普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF1404得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF1404适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF1404的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF1404 参数
IRF1404 基本参数
VDSS		40 V
ID @25℃		162 A
RDS(on) Max		4.0 mΩ
IRF1404 其他特性
FET*性		N型沟道
Qg T*		160 nC
IRF1404 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF1404 特性

· *的工艺技术

· 贴片安装（IRF1404S）

· 低端通孔安装（IRF1404L）

· *导通阻*

· 动态dv/dt率

· 175℃工作温度

· 快速转换速率

· 车工级产品

· 无铅*

产品简介

IRF1404，Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 40V, 162A, 4.0 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB

型号标识 / 参数

IRF1404型号标识及主要参数：

IRF1404 型号标识
IRF1404	基本型号
IRF1404 主要参数
VDSS	40 V
ID @25℃	162 A
RDS(on) Max	4.0 mΩ
Qg T*	160 nC

封装信息

IRF1404封装信息：
类型：TO-220AB
引脚：3 直引脚

包装规格

IRF1404包装规格：
类型：Tube（管装）
每管：50 pcs

产品简介

IRF1404L，Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 40V, 162A, 4.0 mOhm, 160 nC Qg, TO-262

型号标识 / 参数

IRF1404L型号标识及主要参数：

IRF1404L 型号标识
IRF1404	基本型号
L	封装类型，TO-262
IRF1404L 主要参数
VDSS	40 V
ID @25℃	162 A
RDS(on) Max	4.0 mΩ
Qg T*	160 nC

封装信息

IRF1404L封装信息：
类型：TO-262
引脚：3 直引脚

包装规格

IRF1404L包装规格：
类型：Tube（管装）
每管：50 pcs

产品简介

IRF1404S，Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 40V, 162A, 4.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

型号标识 / 参数

IRF1404S型号标识及主要参数：

IRF1404S 型号标识
IRF1404	基本型号
S	封装类型，TO-263
IRF1404S 主要参数
VDSS	40 V
ID @25℃	162 A
RDS(on) Max	4.0 mΩ
Qg T*	160 nC

封装信息

IRF1404S封装信息：
类型：TO-263(D2-Pak)
引脚：2 leads + tab

包装规格

IRF1404S包装规格：
类型一：Tube（管装）
每管：50 pcs
类型二：Tape&Reel（卷带装）
每盘：800 pcs