原装*IR MOS管IRF9530 IRF9530NS IRF9530NL

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRF9530
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	用途	L/功率放大
封装外形	P-DIT/塑料双列直插	材料	P-FET硅P沟道
开启电压	10（V）	夹断电压	10（V）
跨导	10（μS）	*间电容	10（pF）
低频噪声系数	1（dB）	大漏电流	1（mA）
*大耗散功率	1（mW）

IRF9530 概述

　　IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF9530采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF9530这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF9530成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF9530普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF9530得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF9530适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF9530的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF9530 参数
IRF9530 基本参数
VDSS		-100 V
ID @25℃		-14 A
RDS(on) Max		200.0 mΩ
IRF9530 其他特性
FET*性		P型沟道
Qg T*		38.7 nC
IRF9530 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF9530 特性

· *的工艺技术

· 贴片安装 - IRF9530NS

· 低端通孔安装 - IRF9530NL

· 动态dv/dt率

· 170℃工作温度

· 快速转换速率

· P型沟道

· 无铅*

产品简介

IRF9530N，Single P-Channe HEXFET Power MOSFET, -100V, -14A, 200.0 mOhm, 38.7 nC Qg, TO-220AB

型号标识 / 参数

IRF9530N型号标识及主要参数：

IRF9530N 型号标识
IRF9530N	基本型号
IRF9530N 主要参数
VDSS	-100 V
ID @25℃	-14 A
RDS(on) Max	200.0 mΩ
Qg T*	38.7 nC

封装信息

IRF9530N封装信息：
类型：TO-220AB
引脚：3 直引脚

包装规格

IRF9530N包装规格：
类型：Tube（管装）
每管：50 pcs

产品简介

IRF9530NL，Single P-Channe HEXFET Power MOSFET, -100V, -14A, 200.0 mOhm, 38.7 nC Qg, TO-262

型号标识 / 参数

IRF9530NL型号标识及主要参数：

IRF9530NL 型号标识
IRF9530N	基本型号
L	封装类型，TO-262
IRF9530NL 主要参数
VDSS	-100 V
ID @25℃	-14 A
RDS(on) Max	200.0 mΩ
Qg T*	38.7 nC

封装信息

IRF9530NL封装信息：
类型：TO-262
引脚：3 直引脚

包装规格

IRF9530NL包装规格：
类型：Tube（管装）
每管：50 pcs

产品简介

IRF9530NS，Single P-Channe HEXFET Power MOSFET, -100V, -14A, 200.0 mOhm, 38.7 nC Qg, D2-Pak

型号标识 / 参数

IRF9530NS型号标识及主要参数：

IRF9530NS 型号标识
IRF9530N	基本型号
S	封装类型，TO-263
IRF9530NS 主要参数
VDSS	-100 V
ID @25℃	-14 A
RDS(on) Max	200.0 mΩ
Qg T*	38.7 nC

封装信息

IRF9530NS封装信息：
类型：TO-263(D2-Pak)
引脚：2 leads + tab

包装规格

IRF9530NS包装规格：
类型一：Tube（管装）
每管：50 pcs
类型二：Tape&Reel（卷带装）
每盘：800 pcs