大量原装IR MOSFET管 IRF2807

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRF2807
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	L/功率放大
封装外形	P-DIT/塑料双列直插	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	1（V）	夹断电压	1（V）
跨导	1（μS）	*间电容	1（pF）
低频噪声系数	1（dB）	大漏电流	1（mA）
*大耗散功率	1（mW）

IRF2807 概述

　　IR的HEXFET功率场效应管IRF2807采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF2807这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF2807成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF2807普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF2807得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF2807适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF2807的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF2807 参数
IRF2807 基本参数
VDSS		75 V
ID @25℃		82 A
RDS(on) Max		13 mΩ
IRF2807 其他特性
FET*性		N型沟道
Qg T*		106.7 nC
IRF2807 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF2807 特性

· *的工艺技术

· 贴片安装（IRF2807S）

· 低端通孔安装（IRF2807L）

· *导通阻*

· 动态dv/dt率

· 175℃工作温度

· 快速转换速率

· 无铅*

产品简介

IRF2807，Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 75V, 82A, 13 mOhm, 106.7 nC Qg, TO-220AB

型号标识 / 参数

IRF2807型号标识及主要参数：

IRF2807 型号标识
IRF2807	基本型号
IRF2807 主要参数
VDSS	75 V
ID @25℃	82 A
RDS(on) Max	13 mΩ
Qg T*	106.7 nC

封装信息

IRF2807封装信息：
类型：TO-220AB
引脚：3 直引脚

包装规格

IRF2807包装规格：
类型：Tube（管装）
每管：50 pcs

产品简介

IRF2807L，Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 75V, 82A, 13 mOhm, 106.7 nC Qg, TO-262

型号标识 / 参数

IRF2807L型号标识及主要参数：

IRF2807L 型号标识
IRF2807	基本型号
L	封装类型，TO-262
IRF2807L 主要参数
VDSS	75 V
ID @25℃	82 A
RDS(on) Max	13 mΩ
Qg T*	106.7 nC

封装信息

IRF2807L封装信息：
类型：TO-262
引脚：3 直引脚

包装规格

IRF2807L包装规格：
类型：Tube（管装）
每管：50 pcs

产品简介

IRF2807S，Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 75V, 82A, 13 mOhm, 106.7 nC Qg, D2-Pak

型号标识 / 参数

IRF2807S型号标识及主要参数：

IRF2807S 型号标识
IRF2807	基本型号
S	封装类型，TO-263
IRF2807S 主要参数
VDSS	75 V
ID @25℃	82 A
RDS(on) Max	13 mΩ
Qg T*	106.7 nC

封装信息

IRF2807S封装信息：
类型：TO-263(D2-Pak)
引脚：2 leads + tab

包装规格

IRF2807S包装规格：
类型一：Tube（管装）
每管：50 pcs
类型二：Tape&Reel（卷带装）
每盘：800 pcs