台湾光宏 大功率 38 x 38mil 绿光双电*LED芯片 EP-G3838B-A3

目的

本规格书针对光鋐科技之38mil InGaN綠光LED晶粒(EP-G3838B-A3)之相

关基本特性进行说明，以作为客户应用时之参考资料。 

产品特性

本产品为标准蓝宝石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED单面双电*结

构，以具有*之透明导电层作为P-GaN之欧姆接触层(Ohmic contact

layer)，並以2um Au金属层作为焊线电*(Bonding pad)。

外观尺寸

长度: 965&plu*n;10um
宽度: 965&plu*n;10um
厚度: 2&plu*n;0.2um
焊垫直径: 100&plu*n;10um
焊垫厚度:2&plu*n;0.2um

光电特性

Test parameter

Condition

Min

T*

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

350mA

500

-

540

nm

Radiant intensity(I)

350mA

15700

-

35800

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

10uA

1.8

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

350mA

2.6

-

3.6

V

Reverse current (Ir)

-5V

0

-

2

uA