三*管BU102,TO-92

地区:广东 深圳
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ELE*RICAL CHARA*ERISTICS (Tamb=25unless otherwise specified)

 

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

V(BR)CBO

Ic=100μA,IE=0

600

 

 

V

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)CEO

Ic=1mA, IB=0

400

 

 

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)EBO

IE=100μA, Ic=0

9

 

 

V

Collector cut-off current

ICBO

VCB=600V,  lE=0

 

 

1

mA

Collector cut-off current

ICEO

VCB=400V,  IB=0

 

 

0.5

mA

Emitter cut-off current

IEBO

VEB=6V,   Ic=0

 

 

1

mA

DC current gain

hFE(1)

VCE=5V, lc=200mA

15

 

35

 

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

Ic=200mA,lB=40mA

 

 

0.5

V

Base-emitter daturation voltage

VBE(sat)

Ic=200mA,lB=40mA

 

 

1.2

V

Storage time

tS

Ic=0.1A,  (UI9600)

2.0

 

6.0

μS

Transition frequency

fT

VCE=10V,lc=100mA,f=1MHZ

5

 

 

MHZ

 

CLASSIFICATION OFhFE(1)

 

Range

15-20

20-25

25-30

品牌/商标

国产

型号/规格

BU102

应用范围

放大

功率特性

小功率

频率特性

中频

*性

NPN型

结构

点接触型

材料

硅(Si)

封装形式

直插型

封装材料

塑料封装

营销方式

*

产品性质

*