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产品属性
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产品型号:AP4435GH
特点:
* 简单的驱动要求
* 低导通电阻
* 快速开关特性
* 符合RoHS及无卤素
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):-40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-3
功率PD(W):44.6
输入电容Ciss(PF):1160 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s):31
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ.
上升时间Tr(ns):64 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.
下降时间Tf(ns):94 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:-30V,-40A N-沟道增强型场效应晶体管
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AP4435GH,SOT-252,SMD/MOS,P场,-30V,-40A,0.02Ω
AP/富鼎
SOT-252
无铅环保型
贴片式
2500/盘
供应 场效应管 BSC0904NSI,0904NSI
供应 场效应管 SSM3J109TU JJ2
供应 场效应管 FDB8880,FQB60N03L,FQB60N03
供应 场效应管 HAT2195WP,HAT2195
供应 场效应管 IRF540B,IRF540,IRF540A,IRF540Z
供应 场效应管 FQPF19N10,IRFS530A,IRFS530
供应 场效应管 AP9565GEH 9565GEH
供应 场效应管 FQB47P06,FQB27P06
供应 场效应管 BSC027N04LSG,027N04LS,BSC027N04
供应 场效应管 BSC093N04LSG,093N04LS,BSC093N04