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产品属性
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SSM3J109TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω,带二极静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)
应用:
* 电源管理开关应用
* 高速开关应用
特点:
* 1.8V驱动器
* 低导通电阻:Ron = 300 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
:Ron = 172 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
:Ron = 130 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)
产品型号:SSM3J109TU
封装:SOT-323
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
最大漏极电流Id(A):-2
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.13 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.8
输入电容Ciss(PF):335 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s):4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J109TU,-20V,-2A P-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
SSM3J109TU
TOSHIBA(东芝)
SOT-323
无铅环保型
贴片式
3000/盘
供应 场效应管 TPCA8056-H TPCA8055-H
供应场效应管 RFP50N06,PFP50N06,STP50N06
供应 场效应管 TK15E60U,K15E60U,TK15E60
供应场效应管 TK80E08K3 K80E08K3,可替代75NF75
供应 场效应管 AOTF12N65,AOTF10N65,TF10N65
供应 场效应管 KHB2D0N60P.2D0N60P
供应 场效应管 FDP6030BL,FDP6035AL,FDP6030,FDP6035
供应 场效应管 EMD50N15F,D50N15F,EMD50N15
供应 场效应管 SSM6N24TU SSM6N25TU
供应 场效应管 BSZ076N06NS3G,076N06N