供应 场效应管 P75N02LI,P0903BI,75N02

产品型号:P0903BI

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):50

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0095 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):1200 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：32

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250

导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.

上升时间Tr(ns):120 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.

下降时间Tf(ns):105 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:25V,50A N-沟道增强型场效应晶体管

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