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产品属性
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产品型号:AP95T07GP
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):80
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):300
输入电容Ciss(PF):4290 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):88
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450
导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ.
上升时间Tr(ns):160 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):38 typ.
下降时间Tf(ns):165 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管
AP95T07GP,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.005Ω
AP/富鼎
TO-220
无铅环保型
直插式
1000/盒
供应 场效应管 2SK3607-01MR,K3607
供应 场效应管 STI13NK60Z,13NK60Z,STB13NK60Z-1
供应 场效应管 CEP6060N,CEP6060
供应 场效应管 SSM6L36FE
供应 场效应 KIA20N50HM ,KIA20N50 ,20N50
供应 场效应管 L1084DG-3.3,L1084G-3.3,L1084DG
供应 IRF9610 IRF9510 P MOS
供应 场效应管 FQPF3N50C,FQPF3N50,MDF3N50
供应 场效应管 SSM6J51TU SSM6J21TU
供应 场效应管 BSC028N06LS3G,028N06LS,BSC028N06