供应 场效应管 SSM6J51TU SSM6J21TU

SSM6J51TU,SOT-323-6,SMD/MOS,P场,-12V,-4A,0.054Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ)

应用:

 * High Current Switching Applications/高电流开关应用

特点：
 * Suitable for high-density mounting due to compact package
 * 低导通电阻：Ron = 54 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
                     85 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
                     150mΩ(max) (@VGS = -1.5 V)

产品型号:SSM6J51TU

封装:SOT-323-6

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-12

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-4

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.054 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):-1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):1700 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：12

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):57 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):120 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6J51TU,-12V,-4A,0.054Ω P-沟道增强型场效应晶体管

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