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产品属性
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产品型号:2SK3565
封装:TO-220F
标记:K3565
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):5
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):2.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1150 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):595
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
上升时间Tr(ns):70 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.
下降时间Tf(ns):170 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:900V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
特点
.低漏源导通电阻RDS(ON)=2.0Ω(typ值)
.高正向传输导纳:|YFS|=4.5 S(typ值)
.低漏电流IDSS= 100uA(VDS =720 V)
.增强模式:VTH= 2.0-4.0 V(V DS=10 V,ID= 1毫安)
应用
.开关稳压器
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2A , 5A
N-FET硅N沟道
绝缘栅(MOSFET)
2SK3564,2SK3565,K3565
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L/功率放大
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2.6S , 4.5S