AO 场效应MOS管 AON

产品型号:AON5802

封装:DFN 2X5

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):&plu*n;12

*大漏*电流Id(A):7.2

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 4.5V

开启电压VGS(TH)(V):1.5

功率PD(W):1.7

*间电容Ciss(PF):1115

通道*性:双N

低频跨导gFS(s)：37

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,7.2A  Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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