场效应管 2SK4070,K4070

2SK4070,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1A,11Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管
应用:
 * 开关

特点:
 * 低栅*电荷：QG = 5 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 1.0 A)
 * 门额定电压：&plu*n;30 V
 * 低通态电阻: RDS(on) = 11 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 0.5 A)
 * 雪崩能力评级

产品型号:2SK4070

封装:TO-251

品牌：NEC

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):1

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):11 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.5

功率PD(W):22

输入电容Ciss(PF):110 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：0.4

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):38.4

导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 t*.

上升时间Tr(ns):6 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):11 t*.

下降时间Tf(ns):18 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SK4070,600V,1A N-沟道增强型场效应晶体管

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