场效应管 IPD09N03LAG 09N03L

地区:广东 深圳
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IPD09N03LAG,MOS,25V,50A,0.0086Ω,252
APM2558NU,SOT-252,茂达,SMD/MOS,N场,25V,60A,0.0057Ω
AP83T02GH-HF,SOT-252,AP/富鼎,SMD/MOS,N场,25V,75A,0.006Ω
AP73T02GH-HF,SOT-252,AP/富鼎,SMD/MOS,N场,25V,57A,0.0126Ω
CEU75A3 SOT-252 CET/华瑞 SMD/MOS N场 25V 60A 0.009Ω

ME70N03A SOT-252 松木 SMD/MOS N场 25V 50A 0.006Ω
AM50N03-12D-T1-PF SOT-252 艾柏电子 SMD/MOS N场 30V 51A 0.013Ω
AP73T02GH-HF SOT-252 AP/富鼎 SMD/MOS N场 25V 57A 0.0126Ω
2SK3918-ZK-E1-AZ/JM SOT-252 NEC SMD/MOS N场 25V 48A 0.0075Ω
2SK4212-ZK-E1 SOT-252 NEC SMD/MOS N场 25V 48A 0.0078Ω
2SK4213-ZK-E1 SOT-252 NEC SMD/MOS N场 25V 64A 0.006Ω
2SK3919 NEC DIP/MOS N场 25V 64A 0.0056Ω

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

IPD09N03LAG,MOS,25V,50A,0.0086Ω,252

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

夹断电压

20

极间电容

1642

漏极电流

50A