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产品属性
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产品型号:SPA20N60CFD CoolMOS 功率晶体管
标记:20N60CFD
封装:TO-220f
品牌:Infineon/英飞凌
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
最大漏极电流Id(A):20.7
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.22 @VGS = 10 V
英飞凌科技(Infineon Technologies)推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装,电阻仅为99毫欧)在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。
CoolMOS C6系列的推出就是因应产业发展需求,用更加高效节能的产品实现绿色设计,同时CoolMOS C6系列的成本优势也可以使客户的产品在个人电脑、笔记本电脑、上网本或手机、照明(高压气体放电灯)产品以及电视机(液晶或等离子电视机)和游戏机等各种高能效应用,甚至消费电子产品等应用中都非常具有竞争力。
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
专业经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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SPA20N60CFD
N-FET硅N沟道
S/开关
INFINEON/英飞凌
MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
增强型