场效应管 SPA20N60CFD 20N60CFD

地区:广东 深圳
认证:

深圳市金城微零件有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

产品型号:SPA20N60CFD CoolMOS 功率晶体管

标记:20N60CFD

封装:TO-220f

品牌:Infineon/英飞凌

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

最大漏极电流Id(A):20.7

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.22 @VGS = 10 V

英飞凌科技(Infineon Technologies)推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装,电阻仅为99毫欧)在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

CoolMOS C6系列的推出就是因应产业发展需求,用更加高效节能的产品实现绿色设计,同时CoolMOS C6系列的成本优势也可以使客户的产品在个人电脑、笔记本电脑、上网本或手机、照明(高压气体放电灯)产品以及电视机(液晶或等离子电视机)和游戏机等各种高能效应用,甚至消费电子产品等应用中都非常具有竞争力。

 

深圳市金城微零件有限公司                                  
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
专业经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

型号/规格

SPA20N60CFD

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型