供应MOS IPG20N06S4L-14,4N06L14

产品型号:IPG20N06S4L-14

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):&plu*n;16

雪崩能量EAS(mJ):90

*大漏*电流Id(A):20

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0137 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.2

功率PD(W):50

*间电容Ciss(PF):2220

通道*性:双N

低频跨导gFS(s)：

温度(℃): -55 ~175

描述:60V,20A,双N, OptiMOS?-T2 Power-Transistor

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)