场效应管 AP18N20GI TK20A25D

产品型号:AP18N20GI

特点：
 * 低栅极电荷
 * 简单的驱动器要求
 * 快速开关特性

封装:TO-220F

品牌：AP/富鼎

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):18

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.17 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):34.7

输入电容Ciss(PF):1065 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：9.5

导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.

上升时间Tr(ns):21 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ.

下降时间Tf(ns):19 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:AP18N20GI,,200V,18A,0.17Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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