场效应管 KIA4N60PF,KIA4N60,4N60

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KIA4N60PF,MOS,600V,4A,2.4Ω,220F,代理,价格优势

1 . Description

The KIA4N60H N-Channel enhancement mode s ilicon gate power MOSFET is designed
for high voltage, high speed power switchingapplications such as sw itching regulators, switching
converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.

2 .   Features 

   RDS(ON) =2.5 ? @ VGS=10V
   Low gate charge (t*cal 16nC)
   High ruggedness
   Fast switching capability
   Avalanche energy specified
   Improved dv/dt capability

 

MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
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3、:4006262666
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漏*电流

4.4A

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

KIA4N60PF,MOS,600V,4A,2.4Ω,220F

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

品牌/商标

KIA

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

夹断电压

&plu*n;30

*间电容

670