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产品属性
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产品型号:KIA3205N
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):110
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):TYP.4
功率PD(W):200
极间电容Ciss(PF):2950
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):480
温度(℃): -55 ~175
描述:55V,110A N-Channel POWER MOSFET TRANSISTOR
产品型号:KIA3805Z
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):220(Silicon limited)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0033 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):130
极间电容Ciss(PF):7960
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):75
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):730
温度(℃): -55 ~175
描述:55V,220A N-Channel POWER MOSFET TRANSISTOR
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4、Q
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110A/230A
P-DIT/塑料双列直插
KIA3805Z,MOS,55V,220A KIA3205N,MOS,55V,110A,0.008Ω
4
N-FET硅N沟道
KIA
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
±20
增强型