场效应管 FX20ASJ-03F

地区:广东 深圳
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FX20ASJ-06,SOT-252,SMD/MOS,P场,-60V,-20A,0.097Ω

产品型号:FX20ASJ-03F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.12

开启电压VGS(TH)(V):-2.5

功率PD(W):25

极间电容Ciss(PF):500

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-252  /-55 ~150

描述:,-30V,-20A p-Channel 功率MOSFET

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3、:4006262666
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类型

其他IC

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

FX20ASJ-03F

材料

P-FET硅P沟道

用途

S/开关

品牌/商标

RENESAS/瑞萨

沟道类型

P沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型