原装三*管 IRF730PBF
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRF730PBF |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-TPBM/三相桥 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
开启电压 | 原厂(V) | 夹断电压 | 400(V) |
跨导 | 原厂(μS) | *间电容 | 原厂(pF) |
低频噪声系数 | 原厂(dB) | *大漏*电流 | 5.5(mA) |
*大耗散功率 | 74000(mW) |
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 1 Ohm @ 10 V
汲*/源*击穿电压: 400 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏*连续电流: 5.5 A
功率耗散: 74000 mW
*大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
INR美德国际整流器件
IRF730PBF