IXYS*原装*场效应管 IXTQ82N25P *十

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IXYS*原装*场效应管 IXTQ82N25P

 

IXYS*原装*场效应管 IXTQ82N25P

 

IXTQ82N25P产品规格  参数  PDF

 

制造商: IXYS 
RoHS:  详细信息 
晶体管*性: N Channel 
汲*/源*击穿电压: 250 V 
闸/源击穿电压:  /- 20 V 
漏*连续电流: 82 A 
电阻汲*/源* RDS(导通): 35 mOhms 
配置: Single 
*大工作温度:  150 C 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-* 
封装: Tube 
下降时间: 22 ns 
*小工作温度: - 55 C 
功率耗散: 500000 mW 
上升时间: 20 ns 
工厂包装数量: 30 
典型关闭延迟时间: 78 ns

品牌/商标

IXY美国电报半导体

型号/规格

IXTQ82N25P

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GaAS-FET砷化镓

漏*电流

22

跨导

22

开启电压

22

夹断电压

22

低频噪声系数

22

*间电容

22

耗散功率

22