**原装【贴片场效应管系列】IRFR024NTRPBF FR024N

地区:广东 深圳
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【贴片场效应管系列】IRFR024NTRPBF  FR024N  **原装

 

【贴片场效应管系列】IRFR024NTRPBF  FR024N  **原装

 

IRFR024NTRPBF  FR024N 产品规格  参数

 

Datasheets IRF(R,U)024NPbF
Product Photos TO-252-3
Catalog Drawings IR Hexfet DPak
Standard Package 2,000
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series HEXFET®
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 370pF @ 25V
Power - Max 45W
Mounting T*e Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads Tab), SC-63
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Tape & Reel (TR)
Catalog Page 1301 (US2011 Interactive)
1301 (US2011 PDF)
Other Names IRFR024NPBFTR

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFR024NTRPBF FR024N

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MW/微波

封装外形

WAFER/裸芯片

材料

SIT静电感应