IR装*场效应管 FR5305 IRFR5305TRPBF 墨西哥MEXICO产地

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IR装*场效应管 FR5305  IRFR5305TRPBF  墨西哥MEXICO产地

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FR5305  IRFR5305TRPBF产品规格  参数

 

数据列表 IRFR5305PbF, IRFU5305PbF
 
产品相片 TO-252-3
 
产品目录绘图 IR Hexfet DPak
 
标准包装 2,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 55V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 31A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 16A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1200pF @ 25V
 
功率 - *大 110W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
 
供应商设备封装 D-Pak
 
包装 带卷 (TR)
 
产品目录页面 1520 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 IRFR5305PBFTR
 

 

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

FR5305 IRFR5305TRPBF

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

CHIP/小型片状

材料

ALGaAS铝镓砷

漏*电流

2

跨导

2

开启电压

2

夹断电压

2

低频噪声系数

2

*间电容

2

耗散功率

2