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【现货供应】IXTP50N20P

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTP50N20P
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷
开启电压 20（V） 夹断电压 200（V）
低频跨导 原厂规格（μS） *间电容 原厂规格（pF）
低频噪声系数 原厂规格（dB） *大漏*电流 50（mA）
*大耗散功率 360000（mW）

品牌

IXY美国电报半导体

型号

IXTP50N20P