场效应管*原装STP7NK80ZFP P7NK80ZFP STP7NK80Z P7NK80Z

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区宏诚辉电子商行

普通会员

全部产品 进入商铺

场效应管*原装STP7NK80ZFP  P7NK80ZFP  STP7NK80Z  P7NK80Z 

场效应管*原装STP7NK80ZFP  P7NK80ZFP  STP7NK80Z  P7NK80Z 

 STP7NK80ZFP  P7NK80ZFP全塑封产品规格  参数 

 Datasheets ST(B,P)7NK80Z(-1,FP)
Product Photos TO-220FP Pkg
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series SuperM*H™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1138pF @ 25V
Power - Max 30W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package TO-220FP
Packaging Tube
Other Names 497-11399-5
STP7NK80ZFP-ND

 

STP7NK80Z  P7NK80Z产品规格  参数

 

Datasheets ST(B,P)7NK80Z(-1,FP)
Product Photos TO-220 Pkg
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series SuperM*H™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1138pF @ 25V
Power - Max 125W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube

品牌

ST/意法

型号

STP7NK80ZFP P7NK80ZFP STP7NK80Z P7NK80Z

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

M*金属半导体

开启电压

33(V)

夹断电压

33(V)

跨导

33(μS)

*间电容

33(pF)

低频噪声系数

33(dB)

漏*电流

33(mA)

耗散功率

33(mW)