IGBT FGL60N100BNTD G60N100BNTD G60N100 大功率 60A 100

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規格書產品培訓模組標準包裝類別家庭系列IGBT類型電壓 - 集電極發射極擊穿(*大值)Vge, Ic時的*大Vce(開)電流 - 集電極(Ic)(*大值)功率 - *大輸入類型安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝
FGL60N100BNTD
High Voltage Switches for Power Processing
25
離散半導體產品
IGBT - 單路
-
NPT和Trench
1000V
2.9V @ 15V, 60A
60A
180W
標準
通孔
TO-264
TO-264
管裝

 

規格書產品培訓模組標準包裝類別家庭系列IGBT類型電壓 - 集電極發射極擊穿(*大值)Vge, Ic時的*大Vce(開)電流 - 集電極(Ic)(*大值)功率 - *大輸入類型安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝
FGL60N100BNTD
High Voltage Switches for Power Processing
25
離散半導體產品
IGBT - 單路
-
NPT和Trench
1000V
2.9V @ 15V, 60A
60A
180W
標準
通孔
TO-264
TO-264
管裝
品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FGL60N100BNT

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MIX/混频

封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

1000(V)

夹断电压

1000(V)

跨导

10(μS)

*间电容

23(pF)

低频噪声系数

20(dB)

漏*电流

60000(mA)

耗散功率

11000(mW)