IRF6216TRPBF IRF6216TR IRF SOP-8封装原装现货特

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規格書產品相片標準包裝類別家庭系列FET型FET特點漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝其他名稱

IRF6216PbF

8-SOIC

4,000

離散半導體產品

FET - 單路

HEXFET®

MOSFET P通道，金屬氧化物

標準型

150V

2.2A

240 毫歐姆 @ 1.3A, 10V

5V @ 250µA

49nC @ 10V

1280pF @ 25V

2.5W

表面黏著式

8-SOIC（0.154", 3.90mm寬）

8-SO

編帶和捲軸封裝(TR)

IRF6216TRPBF-ND
IRF6216TRPBFTR

替代的封裝
本*件更有以下封裝可供選擇：

品牌

IR/国际整流器

型号

IRF6216TRPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

HF/高频(射频)放大

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

150（V）

夹断电压

15（V）

跨导

0150（μS）

*间电容

15（pF）

低频噪声系数

150（dB）

漏*电流

15（mA）

耗散功率

0541（mW）

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