SPA11N60C3场效应管

地区:广东 深圳
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品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 SPA11N60C3
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 DUAL/配对管
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 600(V) 夹断电压 60(V)
*间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB)
*大漏*电流 01(mA) *大耗散功率 10(mW)

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(*大值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝其他名稱
SP(P,I,A)11N60C3
TO-220 FULLPAK Pkg
Mosfets TO-220FP
50
離散半導體產品
MOSFET,GaNFET - 單
CoolMOS™
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
380 毫歐姆 @ 7A, 10V
650V
11A
3.9V @ 500µA
60nC @ 10V
1200pF @ 25V
33W
通孔
TO-220-3全封裝
管裝
PG-TO220-FP
SP
SP
SPA11N60C3IN
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN
SPA11N60C3XTIN-ND
品牌

INFINEON/英飞凌

型号

SPA11N60C3