P沟MOSF管SI9434DYMOS管P沟道

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品牌/商标 其他 型号/规格 SI9434DY
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装
材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20(V)
夹断电压 4.5(V) 跨导 0(μS)
*间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB)
*大漏*电流 0(mA) *大耗散功率 0(mW)

SO8, P沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
SI943*DY
8-SOIC
DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
2,500
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平门
40 毫欧 @ 6.3A, 4.5V
20V
4.5A
1.5V @ 250µA
18nC @ 4.5V
-
1.3W
表面贴装
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
带卷 (TR)
8-SOICN
1613 (CN2010-11 Interactive)
1613 (CN2010-11 PDF)
SI943*DY-T1-E3TR