供应场效应FQP27P06
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FAIRCHILD/*童
FQP27P06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
45（V）
45（V）
45（μS）
50（pF）
50（dB）
50（mA）
45（mW）
