蔡楚杰
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NEC/日本电气
K3431
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
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SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
45(μS)
4(pF)
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45(mA)
45(mW)
电力场效应晶体管
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