蔡楚杰
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INFINEON/英飞凌
IPB60R099C6
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
24500(μS)
500(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
恒泰柯功率MOSFET
电力场效应晶体管
低压mosfet
mosfet场效应管
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