蔡楚杰
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INFINEON/英飞凌
SPB11N60C3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
24500(μS)
500(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
mosfet引脚
恒泰柯功率MOSFET
mosfet场效应管
电力场效应晶体管
供应场效应管HUF76429D3S
供应场效应管STN4NF03L
供应场效应管LR2905Z
供应场效应IRF3707ZCS
供应场效应管BSP324(图)
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