供应场效应2SK3057
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NEC/日本电气
2SK3057
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
45(V)
45(V)
4(μS)
54(pF)
545(dB)
45(mA)
45(mW)