蔡楚杰
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TOSHIBA/东芝
TK2Q60D
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
250(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
YFW30N06AMJ TO-251场效应管 YFW佑风微
YFW60N25AF TO-220F场效应管 YFW佑风微
供应NTD5867NLT4G MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM
YFW100N08AD TO-252场效应管 YFW佑风微
供应场效应管LR8729
供应场效应管K*075N75P
供应高压场效应管6R190C6
供应高压场效应管5R199P
供应场效应STK0460F
供应场效应管STD12NM50N
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